MOS管开关器件理想的驱动电路应该满足哪些要求

　　MOS管在应用电路中非常的常见，MOS管开关器件理想的驱动电路的要求有哪些?

　　(1)功率开关管开通时，驱动电路可以提供快速上升的基极电流，使得开启时有足够的驱动功率，从而减小开通损耗。

　　(2)开关二极管导通期间，MOS 驱动电路提供的基极电流在任何负载状况下都能保证功率管处于饱和导通状态，保证比拟低的导通损耗。为减小存储时间，器件关断前应处于临界饱和状态。

　　(3)关断时，驱动电路应提供足够的反向基极驱动，以疾速的抽出基区的剩余载流子，减小存储时间;并加反偏截止电压，使集电极电流疾速降落以减小降落时间。当然，晶闸管的关断主要还是靠反向阳极压降来完成关断的。

　　目前来说，关于晶闸管的驱动用的比拟多的只是经过变压器或者光耦隔离来把低压端与高压端隔开，再经过转换电路来驱动晶闸管的导通。而关于 MOS IGBT来说目前用的较多的是MOS IGBT 的驱动模块，也有集成了MOS IGBT、 系统自维护、 自诊断等各个功用模块的 IPM。

　　关于MOS IGBT的驱动，上述主要引见了目前主要的几种MOS IGBT 的驱动方式，以及与它们相对应的驱动电路，并对最常用的光耦隔离的驱动方式停止了说明。