PD快充技术是一种新兴的充电技术，它可以通过USB-C接口实现高达100W的快速充电。其中，MOS管是PD快充技术中不可或缺的一部分。本文将介绍MOS管在PD快充中的主要作用，并重点介绍选型注意事项。

MOS管在PD快充中的主要作用是控制电流和电压的流动，从而确保设备在快速充电时不会受到损坏。MOS管具有低导通电阻、高速开关和低静态功耗等特点，可以有效地控制电流和电压的流动，从而保证充电效率和安全性。

在PD快充中，MOS管的选型非常重要。在选型时，需要考虑其最大漏极电压、导通电阻和最大耗散功率等因素。一般来说，最大漏极电压应大于充电器输出电压，导通电阻应尽量小，最大耗散功率应大于充电器的最大输出功率。下面将介绍几个常用的MOS管型号及其选型要点。

一、AC-DC MOS推荐

AP12N65F是一种N沟道MOSFET、电流12A、电压680V、内阻650mΩ、封装TO-220F-3L，主要45W充电器

二、VBUS开关MOS推荐

AP2320MI是一种N沟道MOSFET，电流8A、电压20V、内阻9mΩ、封装SOT-23-3L,VBUS开关作为控制开关MOS，主要取决输出电压，要求内阻要低、体积要小。

三、同步整流MOS推荐

APG20N06S是一种N沟道MOSFET，电流20A、电压60V、内阻7.2mΩ、封装SOP-8L，主要应用在25W-45W的快充

总之，MOS管在PD快充中扮演着重要的角色，选型时需要考虑多个因素。您有需求都可以联系我们。