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碳化硅SIC器件
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  • 碳化硅 SiC MOSFET 650V TO220-3L
碳化硅 SiC MOSFET 650V TO220-3L

产品特点：
1.低导通电阻
2.高速（高频）切换
3.高耐压
4.高开关性能
5.车规AEC-Q101认证

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Product Number VDS[V] ID (@25°C)[A] RDS(on) [mohm] VGS,op VGS,max EAS [mJ] Pkg. Type Tech. Generation/Prod. Series
H2M065B050 650V 62A 50mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO220-3L H2M series
H2M065B100 650V 32A 100mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO220-3L H2M series
H1M065B050 650V 60A 50mohm -5V / +20V -10V / +25V 1600mJ TO220-3L H1M series
H1M065B100 650V 28.5A 100mohm -5V / +20V -10V / +25V 800mJ TO220-3L H1M series
H1M065B200 650V 18.5A 200mohm -5V / +20V -10V / +25V 400mJ TO220-3L H1M series

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