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碳化硅SIC器件
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  • 碳化硅SiC MOSFET TO263
碳化硅SiC MOSFET TO263
650V ~1700V

产品特点：
1.低导通电阻
2.高速（高频）切换
3.高耐压
4.高开关性能

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Product Number VDS[V] ID (@25°C)[A] RDS(on) [mohm] VGS,op VGS,max EAS [mJ] Pkg. Type Tech. Generation/Prod. Series
H2M065W050 650V 62A 50mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO263-7L H2M series
H2M065W060 650V 52A 60mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO263-7L H2M series
H2M065W100 650V 31A 100mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO263-7L H2M series
H2M120W060 1200V 39A 60mohm -5V / +20V -10V / +25V 1250mJ TO263-7L H2M series
H2M120W080 1200V 33A 80mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO263-7L H2M series
H2M120W140 1200V 25A 140mohm -5V / +20V -10V / +25V . TO263-7L H2M series
H1M065T050 650V 60A 50mohm -5V / +20V -10V / +25V 1600mJ TO263-2L H1M series
H1M065W050 650V 57A 50mohm -5V / +20V -10V / +25V 1600mJ TO263-7L H1M series
H1M120T060 1200V 41A 60mohm -5V / +20V -10V / +25V 1250mJ TO263-2L H1M series
H1M120T120 1200V 24A 120mohm -5V / +20V -10V / +25V 625mJ TO263-2L H1M series
H1M120T240 1200V 13.5A 240mohm -5V / +20V -10V / +25V 312mJ TO263-2L H1M series
H1M120W060 1200V 42A 60mohm -5V / +20V -10V / +25V 1250mJ TO263-7L H1M series
H1M120W120 1200V 24.5A 120mohm -5V / +20V -10V / +25V 625mJ TO263-7L H1M series
H1M170W1K0 1700V 4.7A 1000mohm -5V / +20V -10V / +25V 60mJ TO263-7L H1M series

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