大功率MOS管的构造及工作原理

　　MOS管也叫金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。在一般电子电路中，大功率MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

　　大功率MOS管的构造

　　在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。

　　同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管。

　　大功率MOS管的工作原理

　　增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID=0。

　　大功率MOS管挑选的重要参数简要说明。

　　栅极电荷。Qgs指的是栅极从0v充电到对应电流米勒平台时总充入电荷(实际电流不同，这个平台高度不同，电流越大，平台越高，这个值越大)。这个阶段是给Cgs充电(也相当于Ciss，输入电容)。

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