红外线发射二极管850nm和940nm波长的区别

　　采用红外发光二极管构成发光体的红外发射管是红外对管的重要构成部分，其由砷化镓制成PN结，并通过正向偏压向PN结注入电流激发红外光，其光谱功率分布在830~950纳米波段之间。LED显示为正温度系数，电流越大，温度越高，电流越大，LED的功率和电流越大，但是当正向电流超过最大额定值时，LED的发射功率反而下降。那850nm和940nm的红外发射管之间有何差异呢?

　　1、940或者1.850是说LED芯片发出的波长，单位是NM，都属于红外线，首先表现在波长上的不同。

　　2、一般情况下，当电流相同时，波长越大，正向压降VF值越低;当电流为20MA时，850的VF值约为1.35-1.55V;而940的VF值约为1.10-1.25V，当然，不同电流下，红外对管中红外发射管850nm形式的VF值会有所不同。

　　3、850有红爆情况，940没有红爆，所谓红爆是指红爆灯片在工作时红爆，可见晶片，所以在需要隐蔽的情况下，使用940是很好的选择，但是一些客户会用850黑胶来遮盖红爆情况，不过要注意一点的是，如果需要隐藏的话，还是可以看到的。

　　4、红外对管的红外发射管850的辐射强度比940的辐射强度值高2-3倍左右，如果辐射强度值高，亮度也会有所提高。

　　5、在进料试验中，850可以直接用1.5V电池点亮即可判断是否正常，而940则需要使用手机或摄像机判断是否正常。

　　6、在相同电流条件下，由于940的电压降低，其功率消耗将比850要小，因此940芯片的相同尺寸的电流将比850的电流能大一点。

　　7、850nm比940nm的红外发射管在红外对管的应用时间长。