快恢复二极管的作用和原理解析

　　快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。

　　快恢复二极管工作原理

　　快恢复二极管的内部结构是在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了TRR值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

　　快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。

　　快恢复二极管作用(在直流电路中)

　　快恢复二极管，具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。

　　总之台湾佰鸿一级代理商鑫环电子建议大家使用快恢复二极管时一定要知道如果快恢复二极管反向击穿电压是40V，反向击穿之后能够快速恢复;如果快恢复二极管反向击穿电压1000V，则不存在反向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以不用考虑。