浅析MOS管工作原理及特性

　　MOS管在电路中应用的非常广泛，MOS管的外形和三极管，可控硅，三端稳压器，IGBT类似，所以大家有时会分不清什么是三极管，什么是可控硅，什么是三端稳压器，以及什么是mos管和IGBT，下面鑫环电子就来给大家详细的介绍一下mos管。

　　1、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，MOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。

　　2、开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，也就是MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。

　　3、由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS广泛，因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。在上图所示的高端驱动中，当MOS导通时，Vs=Vd=Vdd，此时要保持MOS的导通，就需要Vg>Vdd。在功率驱动电路中，MOS经常开关的是电源电压，或者说是系统中更高的电压，此时要保证MOS的导通就需要额外升压提供Vg。

　　4、在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。当驱动电压大于稳压管电压时，会额外增加管子的功耗。如果栅极控制电压不足时，则会导致管子开关不彻底，也会增加管子功耗。

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