深度挖掘肖特基二极管的内部结构

　　肖特基二极管广泛应用于开关电源中，每一个从事电子行业的人都有听过肖特基，但我们是否真正了解,肖特基内部结构、应用范围以及为什么肖特基广泛应用于高频开关电源中?那么下面就跟着银河微电一级代理商鑫环电子我们一起走进肖特基二极管的世界寻找我们想要的答案。

　　肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD)，是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正向导通压降小(约0.45V)，反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。

　　肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图1所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

　　当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

　　肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。